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Diodes公司最新產品快報2022第三期

發布時間: 2022-04-01      瀏覽:23

本(ben)


高電壓非隔(ge)離式脫(tuo)機(ji)切(qie)換器,提供適合家電及物聯網產品(pin)應用的(de)低待機(ji)功(gong)率


理想的二(er)極管(guan)控(kong)制器驅動器 P 信道 MOSFET,提供卓越的功(gong)率效率和反向放電保(bao)護(hu)



32V、低 IQ、2A 和 3A 同步(bu)降壓轉換器,采用(yong)(yong) TSOT26 封(feng)裝,適用(yong)(yong)于汽車負載(zai)點產品(pin)應用(yong)(yong)


低待機功率的高電(dian)壓降壓轉換器(qi),適用于物聯網產品應用

項(xiang)如(ru)


高電壓非隔離式脫機切換器,提供適合家電及物聯網產品應用的低待機功率

為(wei)(wei)一款通用(yong)交流電(dian) (AC)、高(gao)壓輸入、非(fei)隔離式脫(tuo)機切(qie)換(huan)器,專為(wei)(wei)特定(ding)產品應(ying)用(yong)設(she)計,支持(chi)******輸出(chu)電(dian)流 600mA、輸出(chu)功率最高(gao) 10W。此裝(zhuang)置提供簡單(dan)的電(dian)源供應(ying)解(jie)決方案,適用(yong)于智慧家(jia)電(dian)、家(jia)庭自動化、工業控制(zhi)和物聯(lian)網電(dian)源產品應(ying)用(yong)。


AP3928支(zhi)持降(jiang)壓(ya)(ya)(ya)、降(jiang)壓(ya)(ya)(ya) - 升(sheng)壓(ya)(ya)(ya)、升(sheng)壓(ya)(ya)(ya)及(ji)非隔(ge)離返馳式拓撲,具備諸多獨特優勢,如(ru)待機功率低(di)、輕(qing)負載效率高(gao)、解決方(fang)案成本低(di)且保護功能多元(yuan),確保裝(zhuang)置運作穩(wen)定可(ke)靠,工作接面(mian)溫度最高(gao)可(ke)達(da) +150°C。


可配置多個非隔離(li)式脫機切換(huan)器(qi),減少外部(bu)組件數(shu)量,節省(sheng)系統 BOM 成本


低待機功率 (<30Mw)


輕負(fu)載效(xiao)率高(gao),適合(he)物聯網和(he)長(chang)時(shi)間休眠的裝置(zhi)


產品(pin)封裝(zhuang):采用(yong) SO-8 封裝(zhuang),接腳排列符合 HV-爬電要求



理想的二極管控制器驅動器 P 信道 MOSFET,提供卓越的功率效率和反向放電保護

是一款理想的(de)二極(ji)管控制器,適用于(yu)保(bao)護系統免于(yu)反向(xiang)(xiang)放電(dian)(dian)(dian)。此裝(zhuang)置驅動 P 信(xin)道MOSFET,在高達 40V 的(de)系統中(zhong)提(ti)供(gong)高側(ce)導軌絕緣,以阻斷反向(xiang)(xiang)電(dian)(dian)(dian)流(liu)(liu)。產品應用包含充電(dian)(dian)(dian)式電(dian)(dian)(dian)動工具(ju)、自(zi)動家用/園藝電(dian)(dian)(dian)器,以及數據中(zhong)心服務器熱(re)插(cha)入和(he)N+1 備援電(dian)(dian)(dian)源供(gong)應器中(zhong)的(de) OR-ing 整流(liu)(liu)器。


將 DZDH0401DW 與低導(dao)通電(dian)阻MOSFET 搭配(pei)使用,設計(ji)人員能大幅降低功耗,相較于肖特(te)基二極管解決方(fang)案,更適(shi)合高(gao)功率(lv)產品應用。


效率(lv)提(ti)升可降低熱管理成本,并提(ti)高(gao)系統可靠性(xing)。在此配(pei)置中,DZDH0401DW 會偵測電源輸(shu)入斷開的狀(zhuang)況(kuang),驅(qu)動MOSFET 進(jin)入關(guan)閉(bi)狀(zhuang)態,隔(ge)離任(ren)何回(hui)流路徑,維持(chi)系統穩定性(xing)。


完整反向(xiang)放電(dian)保護解決方(fang)案包(bao)含一個控制(zhi)器、一個 MOSFET 及(ji)兩(liang)個電(dian)阻器。藉由(you)簡單而精(jing)巧的(de)(de)配(pei)置,大幅減少(shao)設計工(gong)作量,非常適合空間受限(xian)的(de)(de)設計部署。

具備(bei)高度(du)隔(ge)離的反向放電保護措施,提(ti)高了系統的穩(wen)定性(xing)和可靠性(xing)


正向功率損耗低,提(ti)高(gao)能源效率,降低熱管理成(cheng)本


小尺(chi)寸解決方案,優化電(dian)路板空間(jian)


產品(pin)封裝:SOT363 (2.1mm x 2.15mm x 1mm)



32V、低 IQ、2A 和 3A 同步降壓轉換器,采用 TSOT26 封裝,用于汽車負載點產品應用

符(fu)合汽車規格*,分別(bie)為(wei) 2A 和(he) 3A 的(de)同步降壓轉換器,具有 3.8V 至 32V 寬廣的(de)輸(shu)入電壓范圍,符(fu)合 AEC-Q100 一級標(biao)準。


AP6320xQ 與 AP6330xQ 整合(he)了低電阻高(gao)側和低側功率 MOSFET,提供(gong)高(gao)效率的(de)降壓(ya)直流對直流 (DC-DC) 轉換。


本系(xi)列裝置采(cai)用(yong)峰值電(dian)流(liu)模式控制和整合式回路補償(chang)網(wang)絡,大幅減(jian)少了外部組(zu)件數量(liang),而較(jiao)低的組(zu)件數量(liang)則有助于簡(jian)化設計。


兩款產(chan)品都(dou)采(cai)用專有的閘(zha)極驅(qu)動器方案,針對降低(di)電磁干擾 (EMI) 進行(xing)優化調整,在(zai)不犧牲(sheng) MOSFET 開(kai)啟和關閉時間的情(qing)況下,抵御交(jiao)換節點振鈴(ling)。


負載較輕時(shi),則采用 PFM 模式運作(zuo),以(yi)達到最高效(xiao)率,同(tong)時(shi)透過頻(pin)率展頻(pin) (FSS),防止發(fa)射能量(liang)長時(shi)間(jian)停留(liu)在(zai)特定頻(pin)率上,進一步降低 EMI。


皆具備強制 PWM 運作模式,無論負載電流大小,都能維持恒定的切換頻率。AP63203Q 和 AP63205Q 為(wei)固定輸(shu)出電壓,分別為(wei) 3.3V 和 5.0V,該系(xi)列(lie)其他產品則可(ke)調整(zheng)輸(shu)出電壓。

在 3.8V 至 32V 的標準汽車電壓范圍 VIN 內運作(zuo), 可承受 40V、400ms 的突波輸入(ru)


輸出電(dian)壓范圍(wei):0.8V 至接近 100% 的(de) VIN

工作周(zhou)期延長至(zhi) 100%,支(zhi)持(chi)類似 LDO 的(de)功能


簡(jian)單的 PCB 配置設計,支(zhi)持單層 PCB


產品(pin)封(feng)裝(zhuang):薄型 TSOT26


查(cha)看更多信息:


*符合汽車(che)規(gui)格 – 通過(guo) AEC-Q100 一級(ji)認(ren)證,以(yi) IATF 16949 標準認(ren)證的生(sheng)產設施制造(zao),且支持(chi) PPAP 文件。


低待機功率的高電壓降壓轉換器,適用于物聯網產品應用

是一款(kuan)通用(yong)的(de)高電(dian)壓(ya)非隔離式降壓(ya)穩壓(ya)器,可針對(dui)各種線路(lu)與負載(zai)提供精準的(de)恒定電(dian)壓(ya) (CV) 以及卓越的(de)動態效能。


AL17150-10B 整(zheng)合(he)了(le) 500V/1A MOSFET 和HV 啟(qi)動電(dian)路,大(da)幅減少外部組(zu)件(jian)數量。當負載(zai)有所變化時,該產品會調變******高峰值電(dian)流并提(ti)高頻率,展現杰出調節技術與高功率效率。


典型產品應用包括物聯網(wang)智能(neng)家庭以及 LED 聯機照明電源的(de)微控(kong)制器 (MCUs)。

大幅減少外部組(zu)件數量


輸(shu)入電壓范(fan)圍介于(yu) 85 VAC 至 265 VAC


電壓為 3.3V/5V 時(shi),可(ke)輸(shu)出 300mA 的電流 (使(shi)用 <50mW 待機功率(lv))


產品封(feng)裝:SO-7